Name: IRFB3607PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3607PBF-ND
Price: 0.56143 EUR
Availability: InStock

IRFB3607PBF è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

IRFB3607PBFXKMA1

Infineon Technologies

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,46019

Scheda tecnica

Simile

AOT470

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,67406

Scheda tecnica

Simile

DIT095N08

Diotec Semiconductor

In magazzino: 983

Prezzo unitario : € 1,74000

Scheda tecnica

Simile

IPP80N08S2L07AKSA1

Rochester Electronics, LLC

In magazzino: 91

Prezzo unitario : € 2,80462

Scheda tecnica

Simile

IXTP90N055T2

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 3,49000

Scheda tecnica

Simile

STP140N8F7

STMicroelectronics

In magazzino: 923

Prezzo unitario : € 2,80000

Scheda tecnica

Simile

STP140NF55

STMicroelectronics

In magazzino: 907

Prezzo unitario : € 2,52000

Scheda tecnica

Simile

STP140NF75

STMicroelectronics

In magazzino: 447

Prezzo unitario : € 3,96000

Scheda tecnica

Simile

STP75NF75

STMicroelectronics

In magazzino: 240

Prezzo unitario : € 3,05000

Scheda tecnica

Simile

STP76NF75

STMicroelectronics

In magazzino: 932

Prezzo unitario : € 2,58000

Scheda tecnica

Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi

Canale N 75 V 80 A (Tc) 140W (Tc) Foro passante TO-220AB

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFB3607PBF
Codice DigiKey	IRFB3607PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFB3607PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 80 A (Tc) 140W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB3607PBF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3070 pF @ 50 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFB3607
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 46A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (10)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFB3607PBFXKMA1	Infineon Technologies	0	448-IRFB3607PBFXKMA1-ND	€ 0,46019	Consigliato dal produttore
AOT470	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOT470-ND	€ 0,67406	Simile
DIT095N08	Diotec Semiconductor	983	4878-DIT095N08-ND	€ 1,74000	Simile
IPP80N08S2L07AKSA1	Rochester Electronics, LLC	91	2156-IPP80N08S2L07AKSA1-ND	€ 2,80462	Simile
IXTP90N055T2	IXYS	0	IXTP90N055T2-ND	€ 3,49000	Simile

Più

Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi

Data ultima possibilità d'acquisto

Magazzino Marketplace: 544 Guarda

Data ultima possibilità d'acquisto: 31.05.2026

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 0,46019	€ 920,38

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.