MOSFET - Array 30V 6,8 A, 4,6 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF9389TRPBF

Codice DigiKey
IRF9389TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF9389TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF9389TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRF9389TRPBF
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6,8 A, 4,6 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRF9389TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,8 A, 4,6 A
RDSon (max) a Id, Vgs
27mohm a 6,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 10µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
398pF a 15V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,71000€ 0,71
10€ 0,44200€ 4,42
100€ 0,28530€ 28,53
500€ 0,21762€ 108,81
1 000€ 0,19580€ 195,80
2 000€ 0,17742€ 354,84
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 000€ 0,16649€ 665,96
8 000€ 0,15311€ 1 224,88
12 000€ 0,14630€ 1 755,60
20 000€ 0,14001€ 2 800,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,86620