IRF8313TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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Diodes Incorporated
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Prezzo unitario : € 0,85000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 30V 9,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF8313TRPBF

Codice DigiKey
IRF8313TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF8313TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRF8313TRPBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 9,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRF8313TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
15,5mohm a 9,7A, 10V
Produttore
Infineon Technologies
Vgs(th) max a Id
2,35V a 25µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
760pF a 15V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
2W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,7A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMN3015LSD-13Diodes Incorporated0DMN3015LSD-13DICT-ND€ 0,85000Simile
Obsoleto
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