
SI4202DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4202DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 12,1A 3,7W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4202DY-T1-GE3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 8A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 710pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 3,7W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,1A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,76000 | € 1,76 |
| 10 | € 1,11800 | € 11,18 |
| 100 | € 0,75420 | € 75,42 |
| 500 | € 0,59798 | € 298,99 |
| 1 000 | € 0,54776 | € 547,76 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,49340 | € 1 233,50 |
| 5 000 | € 0,45981 | € 2 299,05 |
| 7 500 | € 0,44271 | € 3 320,32 |
| 12 500 | € 0,42495 | € 5 311,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,76000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,14720 |








