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IRF8313TRPBF | |
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Codice DigiKey | IRF8313TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF8313TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF8313TRPBF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 9,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF8313TRPBF Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 15,5mohm a 9,7A, 10V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 2,35V a 25µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 9nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760pF a 15V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,7A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3015LSD-13DICT-ND | € 0,85000 | Simile |



