Name: IRF7832TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7832PBFTR-ND
Price: 1.9154 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF7832TRPBF
Codice DigiKey	IRF7832PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7832PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7832PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7832TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7832TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,32V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	51 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4310 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	IRF7832