Name: IRF7832TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7832PBFTR-ND
Price: 1.8422 EUR
Availability: InStock

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IRF7832TRPBF
Codice DigiKey	IRF7832PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7832PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7832PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7832TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7832TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,32V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4310 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRF7832
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 20A, 10V