Name: IRF40R207
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF40R207TR-ND
Price: 1.5982 EUR
Availability: InStock

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IRF40R207
Codice DigiKey	IRF40R207TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF40R207CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF40R207DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF40R207
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 56 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF40R207 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2110 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 56 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IRF40R207
RDSon (max) a Id, Vgs 5,1mohm a 55A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFR4104TRPBF	Infineon Technologies	4 043	IRFR4104PBFCT-ND	€ 14,52000	Consigliato dal produttore
DMTH4005SK3Q-13	Diodes Incorporated	3 330	DMTH4005SK3Q-13DICT-ND	€ 9,45000	Simile
STD120N4LF6	STMicroelectronics	38 856	497-11097-1-ND	€ 18,51000	Simile

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Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2026

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Nastrato in bobina (TR)