IRF1407STRRPBF è esaurito e non è attualmente disponibile per un ordine arretrato.
Sostituti disponibili:

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 7 012
Prezzo unitario : € 2,23757
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 425
Prezzo unitario : € 2,34945
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 957
Prezzo unitario : € 4,95000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,27487
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 2 417
Prezzo unitario : € 4,07000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 3,42000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 2 642
Prezzo unitario : € 2,69000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 496
Prezzo unitario : € 2,92000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 714
Prezzo unitario : € 4,13000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 368
Prezzo unitario : € 2,60000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 570
Prezzo unitario : € 3,24000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 449
Prezzo unitario : € 2,75000
Scheda tecnica
Canale N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF1407STRRPBF

Codice DigiKey
IRF1407STRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRF1407STRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,8mohm a 78A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

0 in magazzino
A causa dei problemi con le forniture, non siamo in grado di accettare ordini arretrati e i tempi di consegna non sono disponibili al momento. Visualizza Articoli sostitutivi o Tipi di contenitori alternativi.