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IRF1010ESTRLPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRF1010ESTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1010ESTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF1010ESTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF1010ESTRLPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3210 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 50A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB090N06N3GATMA1CT-ND | € 2,36000 | Consigliato dal produttore |
| BUK7613-60E,118 | Nexperia USA Inc. | 3 988 | 1727-7250-1-ND | € 2,18000 | Simile |
| FDB13AN06A0 | onsemi | 7 384 | FDB13AN06A0CT-ND | € 2,67000 | Simile |
| HUF75545S3ST | onsemi | 525 | HUF75545S3STCT-ND | € 3,24000 | Simile |
| IXTA70N075T2 | IXYS | 0 | IXTA70N075T2-ND | € 1,49097 | Simile |
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