IRF1010ESTRLPBF è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 6,56000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 11,25000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 277
Prezzo unitario : € 8,39000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 2 854
Prezzo unitario : € 10,47000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 24 075
Prezzo unitario : € 12,65000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 5,30033
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 11 662
Prezzo unitario : € 7,31000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 160
Prezzo unitario : € 8,60000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 941
Prezzo unitario : € 9,00000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 625
Prezzo unitario : € 12,40000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 984
Prezzo unitario : € 11,33000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 366
Prezzo unitario : € 9,18000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 717
Prezzo unitario : € 10,82000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 312
Prezzo unitario : € 13,48000
Scheda tecnica
Canale N 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF1010ESTRLPBF

Codice DigiKey
IRF1010ESTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF1010ESTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF1010ESTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRF1010ESTRLPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3210 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.