Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 3.233 EUR
Availability: InStock

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FDB13AN06A0
Codice DigiKey	FDB13AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB13AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB13AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 10,9 A (Ta), 62 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,9 A (Ta), 62 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB13AN06
RDSon (max) a Id, Vgs 13,5mohm a 62A, 10V

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In magazzino: 7 384

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 0,84678	€ 677,42
1 600	€ 0,78599	€ 1 257,58

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,23300

FDB13AN06A0