Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 3.5624 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Codice DigiKey	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,5mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V @ 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6100 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 54A (Ta), 422A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHTFN-9-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerWDFN