Name: IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 2.8426 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 25 V 43A (Ta), 282A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Codice DigiKey	448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 43A (Ta), 282A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,8mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 279µA
Serie OptiMOS™ 7	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 43A (Ta), 282A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHTFN-9-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerWDFN