Name: IQE022N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5ATMA1TR-ND
Price: 3.5258 EUR
Availability: OutOfStock

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IQE022N06LM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IQE022N06LM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE022N06LM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE022N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE022N06LM5ATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE022N06LM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 48µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 53 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4420 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 24A (Ta), 151A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IQE022
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 20A, 10V