Name: IQDH45N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 3.3428 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-U02

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IQDH45N04LM6CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQDH45N04LM6CGATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQDH45N04LM6CGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 1,449mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 129 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12000 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-U02
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A (Ta), 637A (Tc)	Contenitore/involucro 9-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IQDH45
RDSon (max) a Id, Vgs 0,45mohm a 50A, 10V