Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.9654 EUR
Availability: InStock

Canale N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-U02

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Codice DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Descrizione	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,29mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 1,448mA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 17000 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75A (Ta), 789A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHTFN-9-U02
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerWDFN