Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.2208 EUR
Availability: InStock

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQDH29NE2LM5CGATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1,448mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 254 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 17000 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-U02
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75A (Ta), 789A (Tc)	Contenitore/involucro 9-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IQDH29
RDSon (max) a Id, Vgs 0,29mohm a 50A, 10V