Equivalente parametrico
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IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW65R110CFDFKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,3mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3240 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 277,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 12,7 A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | € 7,02000 | Equivalente parametrico |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 810 | FCH110N65F-F155-ND | € 7,87000 | Simile |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | € 7,05000 | Simile |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | € 7,41000 | Simile |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | € 5,80000 | Simile |







