Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT020N10N3ATMA1TR-ND
Price: 5.673 EUR
Availability: InStock

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IPT020N10N3ATMA1
Codice DigiKey	IPT020N10N3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT020N10N3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT020N10N3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT020N10N3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 300 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT020N10N3ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 272µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 156 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11200 pF @ 50 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPT020
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 150A, 10V