Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP086N10N3GXKSA1
Codice DigiKey	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP086N10N3GXKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP086N10N3GXKSA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,6mohm a 73A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 75µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3980 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IPP086

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,46440

IPP086N10N3GXKSA1