
IPN60R3K4CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN60R3K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R3K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R3K4CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 2,6 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R3K4CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,4ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 93 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,62000 | € 0,62 |
| 10 | € 0,38400 | € 3,84 |
| 100 | € 0,24650 | € 24,65 |
| 500 | € 0,18700 | € 93,50 |
| 1 000 | € 0,16781 | € 167,81 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13402 | € 402,06 |
| 6 000 | € 0,12253 | € 735,18 |
| 9 000 | € 0,11667 | € 1 050,03 |
| 15 000 | € 0,11009 | € 1 651,35 |
| 21 000 | € 0,10619 | € 2 229,99 |
| 30 000 | € 0,10240 | € 3 072,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,75640 |









