
IPN60R1K5CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN60R1K5CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R1K5CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R1K5CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R1K5CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R1K5CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,5ohm a 1,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 90µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9.4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 200 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,66000 | € 0,66 |
| 10 | € 0,40900 | € 4,09 |
| 100 | € 0,26420 | € 26,42 |
| 500 | € 0,20140 | € 100,70 |
| 1 000 | € 0,18115 | € 181,15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,15076 | € 452,28 |
| 6 000 | € 0,13818 | € 829,08 |
| 9 000 | € 0,13177 | € 1 185,93 |
| 15 000 | € 0,12457 | € 1 868,55 |
| 21 000 | € 0,12030 | € 2 526,30 |
| 30 000 | € 0,11908 | € 3 572,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,66000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,80520 |

















