Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 2.3058 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPG20N06S2L35ATMA1
Codice DigiKey	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N06S2L35ATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 55V 20A 65W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPG20N06S2L35ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 27µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 65W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 15A, 10V	Codice componente base IPG20N