
IPG20N06S2L35AATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPG20N06S2L35AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N06S2L35AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N06S2L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N06S2L35AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 20 A (Tc) 65W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N06S2L35AATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 27µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 65W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione drain/source (Vdss) 55V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc) | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10 |
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,89000 | € 1,89 |
| 10 | € 1,20800 | € 12,08 |
| 100 | € 0,81730 | € 81,73 |
| 500 | € 0,65022 | € 325,11 |
| 1 000 | € 0,59649 | € 596,49 |
| 2 000 | € 0,57580 | € 1 151,60 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,50240 | € 2 512,00 |
| 10 000 | € 0,47222 | € 4 722,20 |
| 15 000 | € 0,47042 | € 7 056,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,30580 |




