Name: IPF016N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 6.6612 EUR
Availability: InStock

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IPF016N10NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPF016N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPF016N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPF016N10NF2SATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 274 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-14
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPF016N10NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 267µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 241 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-14
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 274 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPF016N
RDSon (max) a Id, Vgs 1,6mohm a 100A, 10V