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IPD90N04S3H4ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD90N04S3H4ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 90 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) |
Stato componente Non per nuovi progetti | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 90A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 65µA |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | 8 303 | IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND | € 1,36833 | Equivalente parametrico |
| STD95N4LF3 | STMicroelectronics | 3 406 | 497-8776-1-ND | € 2,17000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
Magazzino Marketplace: 8 303 Guarda
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,95076 | € 2 376,90 |
| 5 000 | € 0,89397 | € 4 469,85 |
| 7 500 | € 0,86506 | € 6 487,95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,95076 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,15993 |
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Spedito da Rochester Electronics, LLC
