IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPD70R950CEAUMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPD70R950CEAUMA1
Codice DigiKey	IPD70R950CEAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD70R950CEAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 7,4 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	950mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	328 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD70