Name: IPD70R900P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70R900P7SAUMA1TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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IPD70R900P7SAUMA1
Codice DigiKey	IPD70R900P7SAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD70R900P7SAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD70R900P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD70R900P7SAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 6 A (Tc) 30,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD70R900P7SAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 60µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 211 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 30,5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD70
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 1,1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)