Name: IPD70N10S3L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70N10S3L12ATMA1TR-ND
Price: 3.3306 EUR
Availability: OutOfStock

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Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11

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IPD70N10S3L12ATMA1
Codice DigiKey	IPD70N10S3L12ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD70N10S3L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD70N10S3L12ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,5mohm a 70A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 83µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5550 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD70

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