Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
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IPD70N10S3L12ATMA2

Codice DigiKey
448-IPD70N10S3L12ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPD70N10S3L12ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPD70N10S3L12ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD70N10S3L12ATMA2
Descrizione
MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD70N10S3L12ATMA2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 70A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 83µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
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In magazzino: 1 750
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,84000€ 1,84
10€ 1,36200€ 13,62
25€ 1,24160€ 31,04
100€ 1,10960€ 110,96
250€ 1,04680€ 261,70
500€ 1,00896€ 504,48
1 000€ 0,97779€ 977,79
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,90223€ 2 255,57
5 000€ 0,85340€ 4 267,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,84000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,24480