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IPD70N10S312ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD70N10S312ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD70N10S312ATMA2 |
Descrizione | MOSFET_(75V 120V( |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD70N10S312ATMA2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4355 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
RDSon (max) a Id, Vgs 11,1mohm a 70A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 4V a 83µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | 24 871 | IPD70N10S312ATMA1CT-ND | € 2,97000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 1,07954 | € 2 698,85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,07954 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,31704 |
