Name: IPD70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 3.6234 EUR
Availability: InStock

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IPD70N10S312ATMA1
Codice DigiKey	IPD70N10S312ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD70N10S312ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD70N10S312ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4355 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 11,1mohm a 70A, 10V	Codice componente base IPD70
Vgs(th) max a Id 4V a 83µA

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AOD2810	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2810-ND	€ 0,48951	Simile
FDD86110	onsemi	8 946	FDD86110CT-ND	€ 3,26000	Simile
RBA80N10EANS-4UA07#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBA80N10EANS-4UA07#HB0TR-ND	€ 0,44931	Simile
STD100N10F7	STMicroelectronics	5 068	497-13548-1-ND	€ 2,67000	Simile
STD105N10F7AG	STMicroelectronics	2 436	497-15305-1-ND	€ 2,50000	Simile