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IPD60R950C6 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD60R950C6INTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60R950C6 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 4,4 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 130µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 280 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 950mohm a 1,5A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 484 | IPD60R950C6ATMA1CT-ND | € 1,68000 | Diretto |
| AOD4S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 90 | 785-1265-1-ND | € 1,88000 | Simile |
| PJMD900N60EC_L2_00001 | Panjit International Inc. | 5 830 | 3757-PJMD900N60EC_L2_00001CT-ND | € 1,11000 | Simile |
| STD6N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13939-1-ND | € 1,79000 | Simile |
| STD6N62K3 | STMicroelectronics | 36 | 497-STD6N62K3CT-ND | € 2,50000 | Simile |
In magazzino: 0
