Equivalente parametrico
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IPD50N04S309ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N04S309ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N04S309ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1750 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Stato componente Non per nuovi progetti | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 28µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | 78 069 | IPD50N04S309ATMA1TR-ND | € 0,80741 | Equivalente parametrico |
| FDD8445 | onsemi | 242 | FDD8445CT-ND | € 1,12000 | Simile |
| STD64N4F6AG | STMicroelectronics | 3 204 | 497-16304-1-ND | € 1,33000 | Simile |
| STD95N4LF3 | STMicroelectronics | 3 406 | 497-8776-1-ND | € 2,17000 | Simile |
| TK35S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 000 | 264-TK35S04K3L(T6L1,NQCT-ND | € 1,78000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,59874 | € 1 496,85 |
| 5 000 | € 0,55886 | € 2 794,30 |
| 7 500 | € 0,53855 | € 4 039,12 |
| 12 500 | € 0,51574 | € 6 446,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,59874 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,73046 |





