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PG-TO-252-3

IPD220N06L3GBTMA1

Codice DigiKey
IPD220N06L3GBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD220N06L3GBTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 30 A (Tc) 36W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD220N06L3GBTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 11µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1600 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
36W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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