Name: IRLR2905TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR2905PBFTR-ND
Price: 1.8666 EUR
Availability: InStock

IRLR2905TRPBF
Codice DigiKey	IRLR2905PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR2905PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR2905PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR2905TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 42 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	42 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	27mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IRLR2905

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,86660

IRLR2905TRPBF