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IPB80N06S2H5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2H5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Fuori produzione presso Digi-Key | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 55 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,2mohm a 80A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 230µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 155 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4400 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
0 in magazzino
Italia