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IPB80N06S2H5ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2H5ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB80N06S2H5ATMA2 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 55 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,2mohm a 80A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 230µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 155 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4400 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
0 in magazzino
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,67000 | € 3,67 |
| 10 | € 2,42300 | € 24,23 |
| 100 | € 1,71040 | € 171,04 |
| 500 | € 1,56084 | € 780,42 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,30824 | € 1 308,24 |
| 2 000 | € 1,27520 | € 2 550,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,47740 |
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