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IPB50R199CPATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB50R199CPATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB50R199CPATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 550 V 17 A (Tc) 139W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB50R199CPATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 660µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 550 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 199mohm a 9,9A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | 819 | 497-13639-1-ND | € 3,88000 | Simile |
| STB23NM50N | STMicroelectronics | 371 | 497-10874-1-ND | € 5,12000 | Simile |
| STB24N60M2 | STMicroelectronics | 487 | 497-13575-1-ND | € 3,21000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,24903 | € 1 249,03 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,24903 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,52382 |
