Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 8.2594 EUR
Availability: InStock

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IPB110N20N3LFATMA1
Codice DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB110N20N3LFATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB110N20N3LFATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,2V a 260µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 76 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 3	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 100 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 88 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB110
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 88A, 10V