Name: IPB039N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB039N10N3GATMA1TR-ND
Price: 4.3432 EUR
Availability: InStock

IPB039N10N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB039N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB039N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB039N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB039N10N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 160 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB039N10N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	160 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,9mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 160µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	8410 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	IPB039

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,56000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,34320

IPB039N10N3GATMA1