Name: IPB017N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5ATMA1TR-ND
Price: 6.9174 EUR
Availability: InStock

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IPB017N10N5ATMA1
Codice DigiKey	IPB017N10N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB017N10N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB017N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB017N10N5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB017N10N5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 279µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 210 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15600 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPB017
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 100A, 10V