Name: IPB036N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB036N12N3GATMA1TR-ND
Price: 7.381 EUR
Availability: InStock

IPB036N12N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB036N12N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB036N12N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB036N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB036N12N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 180 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB036N12N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	120 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,6mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13800 pF @ 60 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	IPB036

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 2,32457	€ 2 324,57
2 000	€ 2,28060	€ 4 561,20

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 6,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 7,38100

IPB036N12N3GATMA1