Canale N 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R040M2HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZC120R040M2HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZC120R040M2HXKSA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Tempi di consegna standard del produttore
45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMZC120R040M2HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
cms-filter-similar-products
cms-show-empty-attributes
Category
RDSon (max) a Id, Vgs
40mohm a 18A, 18V
Produttore
Vgs(th) max a Id
5,1V a 5,5mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+23V, -7V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1310 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
218W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4-17
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 612
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 10,15000€ 10,15
30€ 6,05933€ 181,78
120€ 5,16283€ 619,54
510€ 4,51467€ 2 302,48
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 10,15000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 12,38300