Nuovo prodotto
IMZC120R022M2HXKSA1
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IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R026M2HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZC120R026M2HXKSA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMZC120R026M2HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 27A, 18V
Vgs(th) max a Id
5.1V @ 8.6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1990 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
289W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4-17
Contenitore/involucro
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In magazzino: 240
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 11,50000€ 11,50
30€ 6,99467€ 209,84
120€ 6,01283€ 721,54
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 11,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 14,03000