
IMZA65R050M2HXKSA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMZA65R050M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 3,7mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 153W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-4-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 18,2A, 20V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7,69000 | € 7,69 |
| 30 | € 4,48833 | € 134,65 |
| 120 | € 3,78400 | € 454,08 |
| 510 | € 3,26820 | € 1 666,78 |
| 1 020 | € 3,13773 | € 3 200,48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 7,69000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 9,38180 |


