Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R020M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-40 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 9,5mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2038 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 273W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-40 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 46,9A, 20V |
Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto
Documenti e risorse multimediali
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 0
Verifica i tempi di consegna
Richiedi notifica di giacenza
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 12,89000 | € 12,89 |
| 30 | € 7,86200 | € 235,86 |
| 120 | € 6,75917 | € 811,10 |
| 510 | € 6,16825 | € 3 145,81 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 12,89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 15,72580 |
