Name: IMW65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Price: 19.642 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IMW65R015M2HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW65R015M2HXKSA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 93 A (Tc) 341W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-40
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	93 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	13,2mohm a 64,2A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 13mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2792 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	341W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-3-40
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IMW65R015

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 175

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 16,10000	€ 16,10
30	€ 10,08067	€ 302,42
120	€ 9,27225	€ 1 112,67

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.