Name: IMW120R090M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R090M1HXKSA1-ND
Price: 9.4184 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT30N120

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Canale N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41

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IMW120R090M1HXKSA1
Codice DigiKey	IMW120R090M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW120R090M1HXKSA1
Descrizione	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMW120R090M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 3,7mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 707 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Codice componente base IMW120
RDSon (max) a Id, Vgs 117mohm a 8,5A, 18V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SCT30N120	STMicroelectronics	0	497-14960-ND	€ 0,00000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 7,72000	€ 7,72
30	€ 4,50233	€ 135,07
120	€ 3,79633	€ 455,56
510	€ 3,27916	€ 1 672,37
1 020	€ 3,14973	€ 3 212,72

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