Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 6.6368 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IGLT65R110B2AUMA1
Codice DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGLT65R110B2AUMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 14 A (Tc) 55W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-9
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 1,36mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.52 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 149 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-9
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Tc)	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 140mOhm a 4,5A