Name: IDM08G120C5XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDM08G120C5XTMA1TR-ND
Price: 4.6604 EUR
Availability: InStock

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IDM08G120C5XTMA1
Codice DigiKey	IDM08G120C5XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IDM08G120C5XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IDM08G120C5XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDM08G120C5XTMA1
Descrizione	DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Tempi di consegna standard del produttore	54 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 8A A montaggio superficiale PG-TO252-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IDM08G120C5XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Infineon Technologies	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Serie CoolSiC™+	Corrente - Dispersione inversa a Vr 40 µA @ 1200 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 365pF a 1V, 1MHz
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-2
Corrente - Media rettificata (Io) 8A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.95 V @ 8 A	Codice componente base IDM08G120